GTO Snubberkondensator an elektronescher Leeschtungsausrüstung
Technesch Donnéeën
| Betribstemperaturberäich | Max. Betribstemperatur., Top, Max: + 85℃ Temperatur vun der ieweschter Kategorie: +85℃ Temperatur vun der ënneschter Kategorie: -40℃ |
| Kapazitéitsberäich | 0,22～3μF |
| Nennspannung | 3000V.DC～10000V.DC |
| Kap.tol | ±5%(J); ±10%(K) |
| Spannung standhalen | 1,35 Un DC/10S |
| Dissipatiounsfaktor | tgδ≤0,001 f=1 kHz |
| Isolatiounswiderstand | C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (bei 20 ℃ 100 V DC 60 S) C > 0,33 μF RS * C ≥ 5000S (bei 20 ℃ 100V.DC 60S) |
| Stéissstroum widderstoen | kuckt Datenblat |
| Liewenserwaardung | 100000h(Un; ΘHotspot≤70°C) |
| Referenzstandard | IEC 61071 ; |
Fonktioun
1. Mylar-Band, mat Harz versiegelt;
2. Kupfermutterleitungen;
3. Resistenz géint Héichspannung, niddreg tgδ, niddreg Temperaturanstieg;
4. niddreg ESL an ESR;
5. Héije Pulsstroum.
Applikatioun
1. GTO-Dämpfer.
2. Vill benotzt an elektronescher Kraaftausrüstung wann d'Spëtzespannung, de Spëtzestroumabsorptiounsschutz.
Typesch Schaltung
Konturzeechnung
Spezifikatioun
| Un=3000V.DC | |||||||
| Kapazitéit (μF) | φD (mm) | L(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0,22 | 35 | 44 | 52 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
| 0,33 | 43 | 44 | 52 | 25 | 1000 | 330 | 35 |
| 0,47 | 51 | 44 | 52 | 22 | 850 | 399 | 45 |
| 0,68 | 61 | 44 | 52 | 22 | 800 | 544 | 55 |
| 1 | 74 | 44 | 52 | 20 | 700 | 700 | 65 |
| 1.2 | 80 | 44 | 52 | 20 | 650 | 780 | 75 |
| 1.5 | 52 | 70 | 84 | 30 | 600 | 900 | 45 |
| 2.0 | 60 | 70 | 84 | 30 | 500 | 1000 | 55 |
| 3.0 | 73 | 70 | 84 | 30 | 400 | 1200 | 65 |
| 4.0 | 83 | 70 | 84 | 30 | 350 | 1400 | 70 |
| Un=6000V.DC | |||||||
| Kapazitéit (μF) | φD (mm) | L(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0,22 | 43 | 60 | 72 | 25 | 1500 | 330 | 35 |
| 0,33 | 52 | 60 | 72 | 25 | 1200 | 396 | 45 |
| 0,47 | 62 | 60 | 72 | 25 | 1000 | 470 | 50 |
| 0,68 | 74 | 60 | 72 | 22 | 900 | 612 | 60 |
| 1 | 90 | 60 | 72 | 22 | 800 | 900 | 75 |
| Un=7000V.DC | |||||||
| Kapazitéit (μF) | φD (mm) | L(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0,22 | 45 | 57 | 72 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
| 0,68 | 36 | 80 | 92 | 28 | 1000 | 680 | 25 |
| 1.0 | 43 | 80 | 92 | 28 | 850 | 850 | 30 |
| 1.5 | 52 | 80 | 92 | 25 | 800 | 1200 | 35 |
| 1.8 | 57 | 80 | 92 | 25 | 700 | 1260 | 40 |
| 2.0 | 60 | 80 | 92 | 23 | 650 | 1300 | 45 |
| 3.0 | 73 | 80 | 92 | 22 | 500 | 1500 | 50 |
| Un=8000V.DC | |||||||
| Kapazitéit (μF) | φD (mm) | L(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0,33 | 35 | 90 | 102 | 30 | 1100 | 363 | 25 |
| 0,47 | 41 | 90 | 102 | 28 | 1000 | 470 | 30 |
| 0,68 | 49 | 90 | 102 | 28 | 850 | 578 | 35 |
| 1 | 60 | 90 | 102 | 25 | 800 | 800 | 40 |
| 1.5 | 72 | 90 | 102 | 25 | 700 | 1050 | 45 |
| 2.0 | 83 | 90 | 102 | 25 | 650 | 1300 | 50 |
| Un=10000V.DC | |||||||
| Kapazitéit (μF) | φD (mm) | L(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0,33 | 45 | 114 | 123 | 35 | 1500 | 495 | 30 |
| 0,47 | 54 | 114 | 123 | 35 | 1300 | 611 | 35 |
| 0,68 | 65 | 114 | 123 | 35 | 1200 | 816 | 40 |
| 1 | 78 | 114 | 123 | 30 | 1000 | 1000 | 55 |
| 1.5 | 95 | 114 | 123 | 30 | 800 | 1200 | 70 |
