GTO snubber capacitor an Muecht elektronesch Equipement

Kuerz Beschreiwung:

Snubber Circuits si wesentlech fir Dioden déi a Schaltkreesser benotzt ginn.Et kann eng Diode vun Iwwerspannungsspikes retten, déi während dem ëmgedréint Erhuelungsprozess entstoe kënnen.

Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Produit Tags

Technesch Donnéeën

Operatioun Temperatur Beräich	Max.Operatiounstemperatur.,Top,max: +85℃Temperatur iewescht Kategorie: +85℃Ënnerkategorietemperatur: -40℃
Kapazitéitsberäich	0,22-3μF
Bewäert Spannung	3000 V.DC ~ 10.000 V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Spannung widderstoen	1.35Un DC/10S
Dissipatioun Faktor	tgδ≤0,001 f=1KHz
Isolatioun Resistenz	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (bei 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (bei 20℃ 100V.DC 60S)
Widderstoen Streik Stroum	gesinn Dateblatt
Liewenserwaardung	100000h(Un; ΘHotspot≤70°C)
Referenz Standard	IEC 61071;

Fonktioun

1. Mylar Band, Versiegelt mat Harz;

2. Kupfermutter féiert;

3. Resistenz géint Héichspannung, niddereg tgδ, niddreg Temperaturerhéijung;

4. niddereg ESL an ESR;

5. Héich Pulsatiounsperiod Aktuell.

Applikatioun

1. GTO Snubber.

2. Breet an der Muecht elektronesch Ausrüstung benotzt wann de Peak Volt, Peak aktuell Absorptioun Schutz.

Typesch Circuit

Kontur Zeechnen

Spezifizéierung

Un = 3000V.DC
Kapazitéit (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms (A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un = 6000V.DC
Kapazitéit (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms (A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un = 7000V.DC
Kapazitéit (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms (A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un = 8000V.DC
Kapazitéit (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms (A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un = 10000V.DC
Kapazitéit (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms (A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70