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Dielektrikum mat geréngem Verloscht aus Polypropylenfilm Snubber-Kondensator fir IGBT-Applikatioun

Kuerz Beschreiwung:

D'CRE-Serie vun IGBT-Snubber-Kondensatoren ass ROHS- a REACH-konform.

1. Flammhemmend Eegeschafte gi mat engem Plastikgehäuse an enger Epoxy-Ennfëllung garantéiert, déi der UL94-VO entspriechen.

2. Terminalstiler a Gehäusegréissten kënnen personaliséiert ginn.

 


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  • Produktdetailer

    Produkt Tags

    SMJ-P Serie

    Nennspannungsberäich: 1000 VDC bis 2000 VDC
    Kapazitéitsberäich: 0,1 µF bis 3,0 µF
    Montageofstand: 22,5 mm bis 48 mm
    Konstruktioun: Metalliséierte Polypropylen Dielektresch Intern Serienverbindung
    Uwendung: IGBT-Schutz, Resonanztankschaltungen

    Déi selbstheilend, dréchent Snubber-Kondensatorelementer gi mat speziell profiléierter, wellengeschniddener metalliséierter PP-Folie hiergestallt, déi eng niddreg Selbstinduktivitéit, eng héich Briechbeständegkeet an eng héich Zouverlässegkeet garantéiert. Eng Iwwerdrocktrennung gëtt net als néideg ugesinn. Den Deckel vum Kondensator ass mat selbstlöschender ëmweltfrëndlecher Epoxyharz versiegelt. E speziellen Design garantéiert eng ganz niddreg Selbstinduktivitéit.

    IMG_0397.HEIC

    Spezifikatiounstabell

    Spannung Un 700V.DC, Urms 400Vac; Us 1050V
    Duerchmiesser (mm)
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR bei 100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
    0,47 42,5 24,5 27,5 12 25 500 235 8
    0,68 42,5 24,5 27,5 10 25 480 326,4 10
    1 42,5 24,5 27,5 8 24 450 450 12
    1.5 42,5 33,5 35,5 7 25 430 645 5
    2 42,5 33 35,5 6 24 420 840 15
    2,5 42,5 33 45 6 23 400 1000 18
    3 42,5 33 45 5.5 22 380 1140 20
    3 57,5 30 45 5 26 350 1050 22
    3.5 42,5 33 45 5 23 350 1225 25
    3.5 57,5 30 45 6 25 300 1050 22
    4.7 57,5 35 50 5 28 280 1316 25
    5.6 57,5 38 54 4 30 250 1400 25
    6 57,5 38 54 3.5 33 230 1380 28
    6.8 57,5 42,5 56 3.2 32 220 1496 32
    8 57,5 42,5 56 2.8 30 200 1600 33
    Spannung Un 1000V.DC, Urms 500Vac; Us 1500V
    Duerchmiesser (mm)
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0,47 42,5 24,5 27,5 11 25 1000 470 10
    0,68 42,5 24,5 27,5 8 25 800 544 12
    1 42,5 33,5 35,5 6 24 800 800 15
    1.5 42,5 33 45 6 24 700 1050 15
    2 42,5 33 45 5 22 700 1400 20
    2,5 57,5 30 45 5 30 600 1500 22
    3 57,5 35 50 4 30 600 1800 25
    3.3 57,5 35 50 3.5 28 550 1815 25
    3.5 57,5 38 54 3.5 28 500 1750 25
    4 57,5 38 54 3.2 26 500 2000 28
    4.7 57,5 42,5 56 3 25 420 1974 30
    5.6 57,5 42,5 56 2.8 24 400 2240 32
    Spannung Un 1200V.DC, Urms 550Vac; Us 1800V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0,47 42,5 24,5 27,5 11 24 1200 564 10
    0,68 42,5 33,5 35,5 7 23 1100 748 12
    1 42,5 33,5 35,5 6 22 800 800 14
    1.5 42,5 33 45 5 20 800 1200 15
    2 57,5 30 45 4 30 750 1500 20
    2,5 57,5 35 50 4 28 700 1750 25
    3 57,5 35 50 4 27 600 1800 25
    3.3 57,5 38 54 4 27 550 1815 28
    3.5 57,5 38 54 3.5 25 500 1750 28
    4 57,5 42,5 56 3.5 25 450 1800 30
    4.7 57,5 42,5 56 3.2 23 420 1974 32
    Spannung Un 1700V.DC, Urms 575Vac; Us 2250V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0,33 42,5 24,5 27,5 12 25 1300 429 9
    0,47 42,5 24,5 27,5 10 24 1300 611 10
    0,68 42,5 33,5 35,5 8 23 1300 884 12
    1 42,5 33 45 7 22 1200 1200 15
    1.5 42,5 33 45 6 22 1200 1800 18
    1.5 57,5 30 45 5 31 1200 1800 20
    2 57,5 30 45 5 30 1100 2200 22
    2,5 57,5 35 50 4 28 1100 2750 25
    3 57,5 38 54 4 27 700 2100 25
    3.3 57,5 38 54 3.8 26 600 1980 28
    3.5 57,5 42,5 56 3.5 25 500 1750 30
    4 57,5 42,5 56 3.2 25 450 1800 32
    Spannung Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0,22 42,5 24,5 27,5 15 25 1500 330 10
    0,33 42,5 33,5 35,5 12 24 1500 495 12
    0,47 42,5 33,5 35,5 11 23 1400 658 15
    0,68 42,5 33 45 8 22 1200 816 18
    0,68 57,5 30 45 7 30 1100 748 20
    0,82 42,5 33 45 7 28 1200 984 22
    1 57,5 30 45 6 28 1100 1100 25
    1.5 57,5 35 50 5 25 1000 1500 28
    2 57,5 38 54 5 24 800 1600 28
    2.2 57,5 42,5 56 4 23 700 1540 32
    Spannung Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
    0,15 42,5 33 45 18 28 2500 375 25
    0,22 42,5 33 45 15 27 2200 484 28
    0,22 57,5 35 50 15 25 2000 330 20
    0,33 57,5 35 50 12 24 1800 495 20
    0,47 57,5 38 54 11 23 1600 752 22
    0,68 57,5 42,5 56 8 22 1500 1020 28

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